Name: IMW120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R020M1HXKSA1-ND
Price: 234.95 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMW120R020M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW120R020M1HXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMW120R020M1HXKSA1
Beskrivning	SIC DISCRETE
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 98 A (Tc) 375W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW120R020M1HXKSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	98 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	26,9mOhm vid 41A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,2V vid 17,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	109 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3460 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 39

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 187,96000	kr 187,96
30	kr 118,35167	kr 3 550,55
120	kr 110,21533	kr 13 225,84

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.