Name: IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Price: 66.2625 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMT65R075M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMT65R075M2HXUMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 650V 30A LHSOF-4
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 30 A (Tc) 141W (Tc) Ytmontering PG-LHSOF-4-1
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	95mOhm vid 11,9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 2,4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	516 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	141W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-LHSOF-4-1
Inkapsling/låda	4-PowerLSFN
Basproduktens nummer	IMT65R075

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 000

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 53,01000	kr 53,01
10	kr 35,36200	kr 353,62
100	kr 25,37700	kr 2 537,70
500	kr 21,11904	kr 10 559,52
1 000	kr 20,17339	kr 20 173,39

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.