Name: IMT40R036M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R036M2HXTMA1TR-ND
Price: 84.3375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMT40R036M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT40R036M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMT40R036M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMT40R036M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMT40R036M2HXTMA1
Beskrivning	SIC-MOS
Tillverkarens standardleveranstid	23 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 400 V 7,6A (Ta), 50A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMT40R036M2HXTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	400 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	7,6A (Ta), 50A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	45,7mOhm vid 11,1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,6V vid 4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1170 pF @ 200 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,8W (Ta), 167W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-2
Inkapsling/låda	8-PowerSFN