Name: IMCQ120R053M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND
Price: 105.9625 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMCQ120R053M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMCQ120R053M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMCQ120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMCQ120R053M2HXTMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 43 A (Tc) 234W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMCQ120R053M2HXTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	43 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	52,6mOhm vid 13,2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 4,1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	32.8 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1270 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	234W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-22-3
Inkapsling/låda	22-PowerBSOP-modul