
IMBG65R107M1HXTMA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | IMBG65R107M1HXTMA1 |
Beskrivning | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 650 V 24 A (Tc) 110W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12 |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | IMBG65R107M1HXTMA1 Modeller |
Typ | Beskrivning | Välj alla |
|---|---|---|
Kategori | ||
Tillv. | ||
Serie | ||
Förpackning | Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel® | |
Artikelstatus | Inte för nya designer | |
FET-typ | ||
Teknologi | ||
Drain till source-spänning (Vdss) | 650 V | |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | ||
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds On (max) @ Id, Vgs | 141mOhm vid 8,9A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5,7V vid 2,6mA | |
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 18 V | |
Vgs (Max) | +23V, -5V | |
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 496 pF @ 400 V | |
FET-funktion | - | |
Effektförlust (max) | 110W (Tc) | |
Arbetstemperatur | -55°C-175°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkännande | - | |
Monteringstyp | Ytmontering | |
Leverantörens enhetsförpackning | PG-TO263-7-12 | |
Inkapsling/låda | ||
Basproduktens nummer |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 | kr 62,68000 | kr 62,68 |
| 10 | kr 42,13000 | kr 421,30 |
| 100 | kr 30,49030 | kr 3 049,03 |
| 500 | kr 28,58394 | kr 14 291,97 |
| Antal | Enhetspris | Totalpris |
|---|---|---|
| 1 000 | kr 23,93537 | kr 23 935,37 |
| 2 000 | kr 23,35286 | kr 46 705,72 |
| Enhetspris exkl. moms: | kr 62,68000 |
|---|---|
| Enhetspris inkl. moms: | kr 78,35000 |




