Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 62.0125 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IMBG120R350M1HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMBG120R350M1HXTMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG120R350M1HXTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	4,7 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	468mOhm vid 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,7V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+18V, -15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	196 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	65W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-7-12
Inkapsling/låda	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Basproduktens nummer	IMBG120

Enhetspris exkl. moms:	kr 49,61000
Enhetspris inkl. moms:	kr 62,01250

IMBG120R350M1HXTMA1