Name: IMBG120R181M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND
Price: 62.375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IMBG120R181M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IMBG120R181M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IMBG120R181M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IMBG120R181M2HXTMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 14,9 A (Tc) 94W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	14,9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	181,4mOhm vid 3,9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 1,2mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	9.7 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	94W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-7-12
Inkapsling/låda	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Basproduktens nummer	IMBG120R181