PG-TO263-7-12
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R053M2HXTMA1

DigiKeys produktnummer
448-IMBG120R053M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
448-IMBG120R053M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT)
448-IMBG120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IMBG120R053M2HXTMA1
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Tillverkarens standardleveranstid
26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 41 A (Tc) 205W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™ G2
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
41 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
52,6mOhm vid 13,2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,1V vid 4,1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
205W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-7-12
Inkapsling/låda
TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Basproduktens nummer
IMBG120R053
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 879
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Remsbit (CT) & Digi-Reel®
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 81,65000kr 81,65
10kr 55,76400kr 557,64
100kr 43,92170kr 4 392,17
* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.
Remsa och spole (TR)
Antal Enhetspris Totalpris
1 000kr 35,88401kr 35 884,01
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 81,65000
Enhetspris inkl. moms:kr 102,06250
Du är kanske också intresserad avVisa alla
10 Artiklar
IMBG120R017M2HXTMA1

IMBG120R017M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 107A TO263

Infineon Technologies

kr 169,72000
G3R160MT12J-TR

G3R160MT12J-TR

1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF

GeneSiC Semiconductor

kr 68,61000
IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Infineon Technologies

kr 46,40000
IMBG65R040M2HXTMA1

IMBG65R040M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

kr 79,00000
IMBG120R078M2HXTMA1

IMBG120R078M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 29A TO263

Infineon Technologies

kr 68,80000
IMBG120R040M2HXTMA1

IMBG120R040M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 52A TO263

Infineon Technologies

kr 94,78000
IMBF170R450M1XTMA1

IMBF170R450M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Infineon Technologies

kr 63,50000
IMW120R060M1HXKSA1

IMW120R060M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

Infineon Technologies

kr 91,19000
IMBG120R026M2HXTMA1

IMBG120R026M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 75A TO263

Infineon Technologies

kr 121,53000
IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 87A TO263

Infineon Technologies

kr 142,03000