N-kanal 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R026M2HXTMA1

DigiKeys produktnummer
448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT)
448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IMBG120R026M2HXTMA1
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Tillverkarens standardleveranstid
69 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 75 A (Tc) 335W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
25,4mOhm vid 27,3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,1V vid 8,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
335W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO263-7-12
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 480
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Remsbit (CT) & Digi-Reel®
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 126,54000kr 126,54
10kr 88,42100kr 884,21
100kr 73,02400kr 7 302,40
* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.
Remsa och spole (TR)
Antal Enhetspris Totalpris
1 000kr 59,66051kr 59 660,51
Tillverkarens standardförpackning
Enhetspris exkl. moms:kr 126,54000
Enhetspris inkl. moms:kr 158,17500