IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IGT60R070D1ATMA4 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Infineon Technologies

I lager: 585

Enhetspris : kr 63,22000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGT60R070D1ATMA4
DigiKeys produktnummer	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGT60R070D1ATMA4
Beskrivning	GANFET N-CH
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 31 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	31 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	-
Rds On (max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1,6V vid 2,6mA
Vgs (Max)	-10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	125W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-3
Inkapsling/låda	8-PowerSFN