Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 75.6 SEK
Availability: OutOfStock

Nytt hos DigiKey

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGLT65R110B2AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGLT65R110B2AUMA1
Beskrivning	HV GAN DISCRETES
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 15,1 A (Tc) 56W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-16-9
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	15,1 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	-
Rds On (max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1,6V vid 1,36mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (Max)	-10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	56W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-16-9
Inkapsling/låda	16-PowerSOP-modul