Name: IGLD65R140D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R140D2AUMA1TR-ND
Price: 54.7375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IGLD65R140D2AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGLD65R140D2AUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IGLD65R140D2AUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IGLD65R140D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IGLD65R140D2AUMA1
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 12 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering PG-LSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGLD65R140D2AUMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1,6V vid 1mA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 1.8 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max) -10V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 155 pF @ 400 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 42W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-LSON-8-1
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 12 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-LDFN exponerad kontaktyta
Rds On (max) @ Id, Vgs 170mOhm vid 3,1A