Name: IAUZN04S7L012ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND
Price: 20.675 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUZN04S7L012ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUZN04S7L012ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUZN04S7L012ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUZN04S7L012ATMA1
Beskrivning	MOSFET_(20V 40V)
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 199A (Tj) 94W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8-39
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	199A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,25mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,8V vid 35µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3686 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	94W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8-39
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN