Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 53.0375 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IAUS200N08S5N023ATMA1
DigiKeys produktnummer	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUS200N08S5N023ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 200 A (Tc) 200W (Tc) Ytmontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	200 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,3mOhm vid 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 130µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	7670 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	200W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOG-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerSMD, måsvinge
Basproduktens nummer	IAUS200

Enhetspris exkl. moms:	kr 42,43000
Enhetspris inkl. moms:	kr 53,03750

IAUS200N08S5N023ATMA1