Name: IAUMN10S5N017GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND
Price: 46.075 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUMN10S5N017GAUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUMN10S5N017GAUMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUMN10S5N017GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUMN10S5N017GAUMA1
Beskrivning	MOSFET_(75V 120V(
Tillverkarens standardleveranstid	35 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 200A (Tj) 307W (Tc) Ytmontering PG-HSOG-4-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUMN10S5N017GAUMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V vid 215µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 12514 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 307W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 200A (Tj)	Monteringstyp Ytmontering
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Leverantörens enhetsförpackning PG-HSOG-4-1
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,7mOhm vid 100A, 10V	Inkapsling/låda 4-PowerSFN

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 1 800

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®