Name: IAUCN08S7L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L110ATMA1TR-ND
Price: 17.725 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUCN08S7L110ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUCN08S7L110ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUCN08S7L110ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUCN08S7L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUCN08S7L110ATMA1
Beskrivning	IAUCN08S7L110ATMA1
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 50 A (Tj) 58W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-34
EDA-/CAD-modeller	IAUCN08S7L110ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	50 A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	11mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 14µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	19.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1056 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	58W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-34
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN