Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 27.7625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IAUCN04S6N017TATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IAUCN04S6N017TATMA1
Beskrivning	MOSFET_(20V 40V)
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) Ytmontering PG-LHDSO-10-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUCN04S6N017TATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	58A (Ta), 120A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,73mOhm vid 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 40µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3250 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	103W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-LHDSO-10-1
Inkapsling/låda	10-LSOP (Bredd 0,216", 5,48mm) exponerad kontaktyta