Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 31.5875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSZ16DN25NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ16DN25NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 250 V 10,9 A (Tc) 62,5W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 32µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 62,5W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 250 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TSDSON-8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 10,9 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerTDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer BSZ16DN25
Rds On (max) @ Id, Vgs 165mOhm vid 5,5A, 10V