Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 22.925 SEK
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ123N08NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ123N08NS3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	12,3mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 33µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 66W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	BSZ123

Enhetspris exkl. moms:	kr 18,34000
Enhetspris inkl. moms:	kr 22,92500

BSZ123N08NS3GATMA1