Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 19.8375 SEK
Availability: InStock

BSZ0901NSIATMA1
DigiKeys produktnummer	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSZ0901NSIATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ0901NSIATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 25 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8-FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ0901NSIATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Senaste tidpunkt för inköp
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	25 A (Ta), 40 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,1mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 15 V
FET-funktion	Schottkydiod (hölje)
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8-FL
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSZ0901

Antal	Enhetspris	Totalpris
5 000	kr 3,81340	kr 19 067,00
10 000	kr 3,65616	kr 36 561,60

Enhetspris exkl. moms:	kr 15,87000
Enhetspris inkl. moms:	kr 19,83750

BSZ0901NSIATMA1