Name: BSZ011NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 21.025 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

BSZ011NE2LS5IATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-BSZ011NE2LS5IATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-BSZ011NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSZ011NE2LS5IATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Tillverkarens standardleveranstid	18 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 25 V 35A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8-34
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ011NE2LS5IATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	25 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	35A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,1mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3400 pF @ 12 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8-34
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	BSZ011

Enhetspris exkl. moms:	kr 16,82000
Enhetspris inkl. moms:	kr 21,02500

BSZ011NE2LS5IATMA1