N-kanal, tömningsläge 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Ytmontering PG-SOT223-4-21
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSP149L6327

DigiKeys produktnummer
2156-BSP149L6327-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
BSP149L6327
Beskrivning
N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal, tömningsläge 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Ytmontering PG-SOT223-4-21
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal, tömningsläge
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
0V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,8Ohm vid 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V vid 400µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1,8W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-SOT223-4-21
Inkapsling/låda
TO-261-4, TO-261AA
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 910
Ej annullerbar/ej returnerbar
MARKETPLACE-PRODUKT
Skickas om ungefär 10 dagar från Rochester Electronics LLC
En separat kr 839,65 enhetstaxa för leveransen tillämpas
Antal
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
545kr 5,07479kr 2 765,76
Enhetspris exkl. moms:kr 5,07479
Enhetspris inkl. moms:kr 6,34349
Du är kanske också intresserad av
1 Artiklar
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Infineon Technologies

kr 14,12000