Name: BSC900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 27.9375 SEK
Availability: OutOfStock

BSC900N20NS3GATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC900N20NS3GATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSC900N20NS3GATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSC900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC900N20NS3GATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 15,2 A (Tc) 62,5W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-5
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC900N20NS3GATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	15,2 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	90mOhm vid 7,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 30µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	11.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	62,5W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-5
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSC900

Antal	Enhetspris	Totalpris
5 000	kr 6,06575	kr 30 328,75
10 000	kr 5,77606	kr 57 760,60

Enhetspris exkl. moms:	kr 22,35000
Enhetspris inkl. moms:	kr 27,93750

BSC900N20NS3GATMA1