BSC159N10LSFGATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 3 624
Enhetspris : kr 9,83000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 3 371
Enhetspris : kr 20,79000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 9 553
Enhetspris : kr 36,48000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 5 983
Enhetspris : kr 35,34000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 13 275
Enhetspris : kr 19,47000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 3 102
Enhetspris : kr 22,21000
Datablad
PG-TDSON-8-1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

BSC159N10LSFGATMA1

DigiKeys produktnummer
BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSC159N10LSFGATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 100 V 9,4 A (Ta), 63 A (Tc) 114W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-1
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSC159N10LSFGATMA1 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
15,9mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,4V vid 72µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
114W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TDSON-8-1
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.