Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 59.65 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

BSC019N08NS5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC019N08NS5ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Tillverkarens standardleveranstid	52 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Ytmontering PG-TSON-8-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC019N08NS5ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	28A (Ta), 237A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,9mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 146µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	8600 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSON-8-3
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN

Enhetspris exkl. moms:	kr 47,72000
Enhetspris inkl. moms:	kr 59,65000

BSC019N08NS5ATMA1