Name: BSC018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 20.075 SEK
Availability: InStock

BSC018NE2LSATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC018NE2LSATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSC018NE2LSATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSC018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC018NE2LSATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 25 V 29 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC018NE2LSATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	25 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	29 A (Ta), 100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,8mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 12 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSC018

Enhetspris exkl. moms:	kr 16,06000
Enhetspris inkl. moms:	kr 20,07500

BSC018NE2LSATMA1