Name: BSC015NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC015NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 22.375 SEK
Availability: InStock

BSC015NE2LS5IATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSC015NE2LS5IATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-BSC015NE2LS5IATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-BSC015NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC015NE2LS5IATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC015NE2LS5IATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	25 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,5mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 12 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-6
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSC015

Enhetspris exkl. moms:	kr 17,90000
Enhetspris inkl. moms:	kr 22,37500

BSC015NE2LS5IATMA1