Name: BSC010NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSATMA1TR-ND
Price: 22.6 SEK
Availability: OutOfStock

BSC010NE2LSATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC010NE2LSATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) BSC010NE2LSATMA1CT-ND - Remsbit (CT) BSC010NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	BSC010NE2LSATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 25 V 39 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC010NE2LSATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Inte för nya designer
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	25 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	39 A (Ta), 100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 12 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 96W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8-7
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	BSC010

Antal	Enhetspris	Totalpris
5 000	kr 4,73936	kr 23 696,80
10 000	kr 4,69765	kr 46 976,50

Enhetspris exkl. moms:	kr 18,08000
Enhetspris inkl. moms:	kr 22,60000

BSC010NE2LSATMA1