N-kanal 750 V 60A (Tj) 234W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

AIMZA75R027M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-AIMZA75R027M1HXKSA1-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
AIMZA75R027M1HXKSA1
Beskrivning
IGBT
Tillverkarens standardleveranstid
61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 750 V 60A (Tj) 234W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-4
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
750 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
60A (Tj)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs
25mOhm vid 24,5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 8,8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1668 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
234W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO247-4
Inkapsling/låda
TO-247-4
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 206
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 154,00000kr 154,00
30kr 94,68567kr 2 840,57
120kr 81,69967kr 9 803,96
510kr 75,09224kr 38 297,04
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 154,00000
Enhetspris inkl. moms:kr 192,50000