Name: AIMCQ120R030M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1TR-ND
Price: 192.775 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

AIMCQ120R030M1TXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMCQ120R030M1TXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	AIMCQ120R030M1TXTMA1
Beskrivning	SIC_DISCRETE
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 78 A (Tc) 417W (Tc) Ytmontering PG-HDSOP-22
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	AIMCQ120R030M1TXTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	78 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	38mOhm vid 27A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 8,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1738 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	417W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HDSOP-22
Inkapsling/låda	22-PowerBSOP-modul