Name: AIMBG120R040M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R040M1XTMA1TR-ND
Price: 158.525 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

AIMBG120R040M1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMBG120R040M1XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-AIMBG120R040M1XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	AIMBG120R040M1XTMA1
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 54 A (Tc) 268W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	AIMBG120R040M1XTMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	54 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V, 20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	50mOhm vid 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5,1V vid 6,4mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1264 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	268W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-7
Inkapsling/låda	TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA
Basproduktens nummer	AIMBG120