Name: AIMBG75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 394 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

N-kanal 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

AIMBG75R007M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies Americas Corp.
Tillverkarens produktnummer	AIMBG75R007M2HXTMA1
Beskrivning	AIMBG75R007M2HXTMA1
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Ytmontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	AIMBG75R007M2HXTMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 5,6V vid 28,5mA
Tillv. Infineon Technologies Americas Corp.	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 169 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max) +23V, -7V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5854 pF @ 500 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 651W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (kiselkarbid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 750 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 198A (Tc)	Monteringstyp Ytmontering
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TO263-7-12
Rds On (max) @ Id, Vgs 6,3mOhm vid 129,7A, 20V	Inkapsling/låda TO-263-8, D2PAK (7 stift + flik), TO-263CA