FDN357N Fairchild Semiconductor | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FDN357N
DigiKeys produktnummer	2156-FDN357N-ND
Tillverkare	Fairchild Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	FDN357N
Beskrivning	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 1,9 A (Ta) 500mW (Ta) Ytmontering SOT-23-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Bulk
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	1,9 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	60mOhm vid 2,2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	235 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	500mW (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3