SiC Schottky-dioder i Gen 3 för 1200 V

Schottky-dioderna av kiselkarbid i generation tre för 1200 V från Vishay har en MPS-design (merged PIN-Schottky). De kombinerar tålighet mot höga överspänningar med lågt spänningsfall i framriktningen, låg kapacitiv laddning och omvänd läckström för att öka effektiviteten och tillförlitligheten i switchade krafttillämpningar. Diodernas MPS-struktur, med en baksida som tunnats ut med hjälp av laserglödgningsteknik, minskar spänningsfallet i framriktningen. Enheternas låga typiska omvända läckström minskar ledningsförlusterna, vilket ger hög verkningsgrad i systemet vid lätta laster och tomgångskörning. För att förbättra verkningsgraden ytterligare har dioderna i Gen 3 praktiskt taget ingen återhämtningsflank, till skillnad från extremt snabba dioder.

Dioderna erbjuder likriktning av AC/DC PFC och DC/DC med extremt hög frekvens i FBPS- och LLC-omvandlare för tillämpningar som växelriktare för solenergi, energilagringssystem, industriella drivenheter, verktyg och datacenter.