IRF200S234 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IRF200S234 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Infineon Technologies

I lager: 1 380

Enhetspris : kr 63,32000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 102,53000

Similar

Vishay Siliconix

I lager: 1 032

Enhetspris : kr 40,16000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRF200S234
DigiKeys produktnummer	IRF200S234TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IRF200S234
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 90 A (Tc) 417W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IRF200S234 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	90 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	16,9mOhm vid 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	162 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	6484 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	417W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	IRF200