Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 55.875 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPT029N08N5ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPT029N08N5ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT029N08N5ATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V vid 108µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 40 V
Artikelstatus Senaste tidpunkt för inköp	Effektförlust (max) 168W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-HSOF-8-1
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerSFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Basproduktens nummer IPT029
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,9mOhm vid 150A, 10V