VideoLibrary

How to GaN - 03: Performance Characteristics

Key electrical parameters and ratings for power electronics system designers.

6/12/2020 7:56:12 PM

Part List

BildTillverkarens artikelnummerBeskrivningAvailable QuantityPrisVisa detaljer
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE22500 - Immediate$24.02Visa detaljer
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE11567 - Immediate$28.89Visa detaljer
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA516 - Immediate$23.11Visa detaljer
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEPC2111MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE15566 - Immediate$39.18Visa detaljer
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE563 - Immediate$97.15Visa detaljer
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEEPC2102MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE1276 - Immediate$93.44Visa detaljer
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIEEPC2103MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE8040 - Immediate$97.15Visa detaljer
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEEPC2104MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE2380 - Immediate$93.44Visa detaljer

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Publiceringsdatum: 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Publiceringsdatum: 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Publiceringsdatum: 2023-08-31

Related Product Highlight

EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge EPC's EPC2111 eGaN® half-bridge enables 12 V to 1.8 V system efficiency over 85% at 5 MHz at 14 A output reducing costs to end user’s power conversion systems.
EPC2106 Half Bridge EPC's EPC2106 half bridge has high efficiency power conversion in a small footprint.
GaN ICs for Wireless Power EPC's GaN Semiconductors are designed specifically for resonant wireless power transfer applications, enabling rapid design of highly efficient end-use systems.

Related Articles and Blogs

Halvledare med brett bandgap ökar effektiviteten i datacenter Eftersom datacenter har ett enormt energibehov krävs kraftlösningar som kan minska energiförlusterna, öka effektiviteten och förbättra värmestyrningen.
Halvledare med brett bandgap omformar transportvärlden Hela transportsektorn genomgår en radikal förändring med lösningar för el- och hybridbilar och renare kollektivtrafik.
Ström-GaN produkter och resurser tillgängliga hos DigiKey GaN har gjort intåg på kraftdesignområdet. Den här bloggen ger lite bakgrund och en översikt över några relevanta GaN-produkter och resurser som nu är tillgängliga hos DigiKey.