XP83T03GJB YAGEO XSEMI | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

XP83T03GJB
DigiKeys produktnummer	5048-XP83T03GJB-ND
Tillverkare	YAGEO XSEMI
Tillverkarens produktnummer	XP83T03GJB
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 75 A (Tc) 60W (Tc) Genomgående hål TO-251S
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	YAGEO XSEMI
Serie	XP83T03
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	75 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6mOhm vid 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1840 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	60W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-251S
Inkapsling/låda	TO-251-3 korta stift, IPAK, TO-251AA
Basproduktens nummer	XP83