XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Diskreta halvledarprodukter

XP3R303GMT-L har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

I lager: 0

Enhetspris : kr 0,00000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

XP3R303GMT-L
DigiKeys produktnummer	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Remsa och spole (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Remsbit (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	YAGEO XSEMI
Tillverkarens produktnummer	XP3R303GMT-L
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Ytmontering PMPAK® 5 x 6
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	YAGEO XSEMI
Serie	XP3R303
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	31A (Ta), 105A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,3mOhm vid 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PMPAK® 5 x 6
Inkapsling/låda	8-PowerLDFN