PSMN3R9-60XSQ har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IRFB7540PBF
Infineon Technologies
I lager: 885
Enhetspris : kr 20,02000
Datablad

Similar

STP100N6F7
STMicroelectronics
I lager: 1 995
Enhetspris : kr 19,19000
Datablad

Similar

STP130N6F7
STMicroelectronics
I lager: 1 698
Enhetspris : kr 23,53000
Datablad

Similar

TK58E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 0
Enhetspris : kr 23,25000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 60 V 75 A (Tc) 55W (Tc) Genomgående hål TO-220F
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

PSMN3R9-60XSQ

DigiKeys produktnummer
568-11430-5-ND
Tillverkare
NXP USA Inc.
Tillverkarens produktnummer
PSMN3R9-60XSQ
Beskrivning
MOSFET N-CH 60V 75A TO220F
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 75 A (Tc) 55W (Tc) Genomgående hål TO-220F
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
NXP USA Inc.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
75 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
4mOhm vid 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5494 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
55W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220F
Inkapsling/låda
TO-220-3 fullpack, isolerad flik
Basproduktens nummer
PSMN3
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.