Name: SQJB90EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB90EP-T1_GE3TR-ND
Price: 23.0375 SEK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJB90EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJB90EP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SQJB90EP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) SQJB90EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJB90EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
cms-standard-lead-time	32 veckor
cms-customer-reference
cms-detailed-description	MOSFETs - matriser 80V 30 A (Tc) 48W Ytmontering PowerPAK® SO-8 dubbel
Datablad	Datablad
cms-eda-cad-models	SQJB90EP-T1_GE3 Modeller

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dubbel)
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	80V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	21,5mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	25nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF vid 25V
Effekt - max	48W
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8 dubbel
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8 dubbel
Basproduktens nummer	SQJB90