Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 19.275 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJ912DEP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJ912DEP-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Tillverkarens standardleveranstid	39 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8 dubbel
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ912DEP-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Tillverkare Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 36nC vid 10V
Serie TrenchFET®	Effekt - max 27W (Tc)
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Artikelstatus Aktiv	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Konfiguration 2 N-kanal (dubbel)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 40V	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8 dubbel
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 30 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8 dubbel
Rds On (max) @ Id, Vgs 7,3mOhm vid 7A, 10V	Basproduktens nummer SQJ912