Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 18.6625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SQJ912DEP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SQJ912DEP-T1_GE3
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8 dubbel
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJ912DEP-T1_GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dubbel)
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	40V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	7,3mOhm vid 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	36nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	-
Effekt - max	27W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8 dubbel
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8 dubbel
Basproduktens nummer	SQJ912