SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIZ710DT-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIZ710DT-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIZ710DT-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIZ710DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIZ710DT-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	MOSFETs - matriser 20V 16A, 35A 27W, 48W Ytmontering 6-PowerPair™
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIZ710DT-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion	Logiknivågrind
Drain till source-spänning (Vdss)	20V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	16A, 35A
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,8mOhm vid 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	18nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	820pF vid 10V
Effekt - max	27W, 48W
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	6-PowerPair™
Leverantörens enhetsförpackning	6-PowerPair™
Basproduktens nummer	SIZ710