Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND
Price: 24.6375 SEK
Availability: InStock

SISF04DN-T1-GE3
cms-digikey-product-number	742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SISF04DN-T1-GE3
cms-description	MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
cms-standard-lead-time	55 veckor
cms-customer-reference
cms-detailed-description	MOSFETs - matriser 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8SCD
Datablad	Datablad
cms-eda-cad-models	SISF04DN-T1-GE3 Modeller

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET-, MOSFET-matriser
Tillverkare	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dubbel) gemensam kollektor
FET-funktion	-
Drain till source-spänning (Vdss)	30V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs	4mOhm vid 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	60nC vid 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF vid 15V
Effekt - max	5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Monteringstyp	Ytmontering
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8SCD
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8SCD
Basproduktens nummer	SISF04

Enhetspris exkl. moms:	kr 19,71000
Enhetspris inkl. moms:	kr 24,63750

SISF04DN-T1-GE3