SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix | Diskreta halvledarprodukter

SIHG22N50D-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

Microchip Technology

I lager: 419

Enhetspris : kr 3,77000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 6,53000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 0,00000

Similar

IXYS

I lager: 651

Enhetspris : kr 7,88000

Similar

IXYS

I lager: 672

Enhetspris : kr 7,76000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHG22N50D-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHG22N50D-GE3-ND
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIHG22N50D-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 500 V 22 A (Tc) 312W (Tc) Genomgående hål TO-247AC
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	22 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	230mOhm vid 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1938 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	312W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247AC
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	SIHG22