SI4936BDY-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 0
Enhetspris : kr 4,01818
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 1 703
Enhetspris : kr 24,63000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 1 413
Enhetspris : kr 20,53000
Datablad
MOSFETs - matriser 30V 6,9A 2,8W Ytmontering 8-SOIC
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4936BDY-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR)
SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT)
SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SI4936BDY-T1-GE3
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 30V 6,9A 2,8W Ytmontering 8-SOIC
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Kategori
Rds On (max) @ Id, Vgs
35mOhm vid 5,9A, 10V
Tillverkare
Vishay Siliconix
Vgs(th) (Max) @ Id
3V vid 250µA
Serie
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
15nC vid 10V
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF vid 15V
Artikelstatus
Föråldrad
Effekt - max
2,8W
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Konfiguration
2 N-kanal (dubbel)
Monteringstyp
Ytmontering
FET-funktion
Logiknivågrind
Inkapsling/låda
8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Drain till source-spänning (Vdss)
30V
Leverantörens enhetsförpackning
8-SOIC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
6,9A
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
Ersättningsartiklar (3)
ArtikelnummerTillverkare Tillgängligt antalDigiKeys produktnummer Enhetspris Typ av ersättningsartikel
SH8K12TB1Rohm Semiconductor0SH8K12TB1-NDkr 4,01818Similar
SH8K4TB1Rohm Semiconductor1 703SH8K4TB1CT-NDkr 24,63000Similar
ZXMN3A06DN8TADiodes Incorporated1 413ZXMN3A06DN8CT-NDkr 20,53000Similar
Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.