MOSFETs - matriser 60V 370mA 510mW Ytmontering SC-70-6
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI1926DL-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SI1926DL-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR)
SI1926DL-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT)
SI1926DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SI1926DL-T1-GE3
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 60V 370mA 510mW Ytmontering SC-70-6
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SI1926DL-T1-GE3 Modeller
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Kategori
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,4Ohm vid 340mA, 10V
Tillverkare
Vishay Siliconix
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5V vid 250µA
Serie
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
1,4nC vid 10V
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18,5pF vid 30V
Artikelstatus
Föråldrad
Effekt - max
510mW
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Konfiguration
2 N-kanal (dubbel)
Monteringstyp
Ytmontering
FET-funktion
Logiknivågrind
Inkapsling/låda
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Drain till source-spänning (Vdss)
60V
Leverantörens enhetsförpackning
SC-70-6
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
370mA
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.