Name: XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND
Price: 17.3625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

XPN6R706NC,L1XHQ
DigiKeys produktnummer	264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND - Remsbit (CT) 264-XPN6R706NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	XPN6R706NC,L1XHQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 40 A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	XPN6R706NC,L1XHQ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	40 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,7mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 300µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	840mW (Ta), 100W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	XPN6R706