Name: XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 23.0375 SEK
Availability: InStock

N-kanal 40 V 160A (Ta) 223W (Tc) Ytmontering S-TOGL™

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

XPJ1R004PB,LXHQ
DigiKeys produktnummer	264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-XPJ1R004PBLXHQCT-ND - Remsbit (CT) 264-XPJ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	XPJ1R004PB,LXHQ
Beskrivning	40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 160A (Ta) 223W (Tc) Ytmontering S-TOGL™
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	XPJ1R004PB,LXHQ Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 6890 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 223W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 175°C
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Grad Automotive
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Godkännande AEC-Q101
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 160A (Ta)	Monteringstyp Ytmontering
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Leverantörens enhetsförpackning S-TOGL™
Rds On (max) @ Id, Vgs 1mOhm vid 80A, 10V	Inkapsling/låda 5-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 500µA