N-kanal 1200 V 20 A (Tc) 107W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 20 A (Tc) 107W (Tc) Genomgående hål TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW140N120C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW140N120CS1F-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
TW140N120C,S1F
Beskrivning
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Tillverkarens standardleveranstid
24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 20 A (Tc) 107W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 1mA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 18 V
Förpackning
Rör
Vgs (Max)
+25V, -10V
Artikelstatus
Aktiv
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
691 pF @ 800 V
FET-typ
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Teknologi
Arbetstemperatur
175°C
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Monteringstyp
Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Inkapsling/låda
Rds On (max) @ Id, Vgs
182mOhm vid 10A, 18V
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 0
Kontrollera leveranstid
Begär lagermeddelande
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 135,75000kr 135,75
30kr 82,64300kr 2 479,29
120kr 71,00208kr 8 520,25
510kr 64,58010kr 32 935,85
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 135,75000
Enhetspris inkl. moms:kr 169,68750