Name: TW140N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW140N120CS1F-ND
Price: 159.35 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TW140N120C,S1F
DigiKeys produktnummer	264-TW140N120CS1F-ND
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TW140N120C,S1F
Beskrivning	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 20 A (Tc) 107W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	20 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	182mOhm vid 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	691 pF @ 800 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	107W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247
Inkapsling/låda	TO-247-3

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 48

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 127,48000	kr 127,48
30	kr 77,60667	kr 2 328,20
120	kr 66,89417	kr 8 027,30

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.